Simülasyonlar
Simülasyonlar, süzülmenin Si konsantrasyon eşiğini (bu işlem NC'lerin şarj edilmesini engeller) ve implantasyon veya post için optimum sıcaklık aralığını tahmin etmeyi mümkün kılar. NC'lerin kontrollü bir büyümesiyle birlikte substrat arayüzünde Si çözünen atomlarının yakalanmasının, uçucu olmayan belleklerin üretimi için uygun bir kendi kendine hizalanmaya yol açtığı tavlama işlemidir.
Birçok yazar tarafından IBS tekniğinin kullanışlılığını övmek için ileri sürülen bir argüman, yüzeye yakın parçacıkların yüksek doldurma faktörlerini elde etmektir. Aslında bu özellik, dipolar etkileşimlerin optik ve manyetizmadaki iyi bilinen etkisinden dolayı genellikle nanokompozit sistemlerin performansları için zararlıdır.
Gösterilen Ag parçacıklarının görünür aralığındaki plazmon rezonansı, büyüklük saçılmalarındaki ve etkileşimlerindeki artışın birleşik etkileri altında, artan Ag akışıyla daha geniş hale gelir.
Benzer şekilde, manyetik kayıt ortamındaki bitleri oluşturan taneler arasındaki etkileşim, gürültüyü azaltmak için sınırlandırılmalıdır. Aslında, çoğu çalışmada implante edilmiş 3D manyetik atomların konsantrasyonunu artırmanın tek yararı, katkılı katmanın sığ kalınlığını telafi etmektir. Yarı iletkenlerdeki eksitonların hapsedilmesi de parçacıkların toplanmasıyla bozulur.
Si NC'ler, MOS yapılarında şarj enjeksiyonu için yararlı olmalarının yanı sıra, sarı lüminesansları veya NC'lerdeki eksitonlarınkine yakın bir enerjide uyarılmış bir seviyede nadir toprak elementlerini aktive etmeleri ile de ilgi çekicidir. Bir kez daha kalite kriteri, NC'lerin 2–3 nm aralığında dar bir boyut dağılımıdır, böylece boşlukları örneğin 4I15/2'den 4I9/2 durumuna Er3+ iyonlarının uyarılma enerjisine uyar.
Ardışık olarak Si iyonları ile implante edilen Er iyonlarının hassaslaşması kapsamlı bir şekilde incelenmiştir ve sonuçlar, aynı anda elde etmenin zor olduğu bir okul vakasını oluşturmaktadır: (i) Uygun boyutta Si kümeleri, (ii) Er atomları yerine oksit içinde katı çözeltide silisit partiküllerinde [PIV 03], (iii) fakat aynı derinlikte. Bununla birlikte, bazı yararlı cihazlar fabrikasyon gibi görünüyor.
IBS Tarafından Elde Edilen Çeşitli Yapılar
IBS, sıralı implantasyon yoluyla tek bir elementten veya bir bileşikten yapılmış çok çeşitli nanokristaller ve kuantum noktaları oluşturmak için kullanılmıştır. Yağışın doğası implantasyon sırasına bağlı olabilir.
Kontrollü bir plazmon rezonans enerjisine sahip alaşımlı parçacıklar elde etmek amacıyla 2 metalin implantasyonu, örneğin tavlamadan sonra 2 element bir çözünürlük aralığı gösterdiğinde veya bunlardan biri matriste daha fazla çözünür olduğunda çekirdek-kabuk parçacıklarının oluşumuyla sonuçlanır.
Zhao ve diğerleri tarafından önerilen bir çözüm vardır. homojenliği engelleyen ve oluşan fazların doğasını değiştiren ikinci implantasyon sırasında ilk implante edilen iyon türlerinin yeniden dağılımı sorununa, iki iyon tabancası arasında hızlı geçişi içeren dinamik birlikte implantasyon dahildir.
Hemen hemen tüm yarı iletkenlerin NC'leri, NC'leri daha büyük boşluklu bir matrise gömerek eksitonları sınırlamak ve yüzeylerini çevre ile reaksiyona karşı korumak amacıyla silika, alümina ve silikonda sentezlenmiştir.
Temel bir bakış açısından, konağın iyonikliğinin oluşan fazların kristal doğasını etkilediğini not etmek ilginçtir. Örnek olarak, implantasyon koşullarını değiştirerek a-Al2O3'te altıgen wurtzite veya kübik çinkoblend yapısına sahip CdS ve CdSe kristalleri üretmek mümkündür, çünkü bu matris balistik hasara karşı çok az hassastır.
İmplantasyon orta sıcaklıkta (~600°C) gerçekleştirildiğinde, dinamik tavlama alümina kristalini tutar ve epitaksiyel ilişkiler altıgen yapı ile NC'lerin oluşumunu destekler. Aksine, implantasyon düşük bir sıcaklıkta (LN2) gerçekleştirildiğinde, alüminanın yakın yüzey bölgesi amorfize olur.
Simülasyon tekniği
Simülasyon Örnekleri
Simulasyon Nedir
Simülasyon eğitimi
Simülasyon Nasıl Yapılır
Simülasyon Programları
Simülatör Nedir
Simülasyon nedir kısaca
Tavlamanın ardından, şekilsiz katman ilk önce aynı simetriye (çinkoblend) sahip NC'leri gömen metastabil γ-Al2O3 kübik yapısı ile kristalleşir. Dinamik tavlamanın az ya da çok verimliliğiyle ilişkilendirilen başka bir yapı modifikasyonu örneği, tek Si kristallerinde β-FeSi2 sentezi sırasında gözlemlenendir.
Fe atomlarını yeterince yüksek sıcaklıkta (yaklaşık 400°C) silikon içine yerleştirirken, eksenleri Si eksenine paralel hizalanmış β-FeSi2 çökeltileri elde edilir. Fe daha düşük sıcaklıkta implante edildiğinde rastgele yönlendirilmiş parçacıklar oluşur. 800°C veya daha fazla sıcaklıkta daha fazla tavlamadan sonra, Si tek kristalinin yapısı ikinci durumda mükemmel bir şekilde geri yüklenirken, epitakside parçacıkları içeren kristalde çok sayıda dislokasyon döngüsü kalır.
Metaloid emplantasyon yoluyla seramik bileşiğinin metallere sentezlenmesi durumunda, yeni oluşan fazlar genellikle nadiren amorfize olan (bilinen metalik cam bileşimleri dışında) matris tanecikleri ile epitaksi içinde büyür. Örneğin, yakın paketleme düzlemleri arasındaki epitaksi ilişkileri ile N'nin Ti'ye implantasyonu ile ikinci dereceden bileşik Ti2N'nin, ardından kübik faz TiN'nin oluşumunu gözlemliyoruz.
Kanallaşma koşullarında implantasyon, iyon aralığını önemli ölçüde artırmayı ve konakçı materyalin zarar görmesini sınırlamayı mümkün kılar. Menzildeki artışla bağlantılı olarak, ekilen türler kendi kendine püskürtmeye daha az maruz kalır ve doğal oksit yüzey tabakasından geri tepme implante edilmiş O atomları ile oksidasyona karşı daha fazla korunur. Gömülü ve saf FeSi2 veya ErSi2 katmanları bu koşullarda büyütüldü.
Nadir gaz atomları, genellikle tüm malzemelerde yüksek akışlarda kabarcıklar oluşturur; bu etki, iyon tabancalarının veya reaktörlerin duvarlarının kabarmasının kökenindedir. Bu boşluklar, örneğin daha sonra yüzey üzerinde buharlaştırılan ve başka bir ısı veya ışınlama işlemiyle karıştırılan katmanlardan oluşan parçacıkların tercihli çekirdeklenme bölgeleri olarak kullanılabilir.
Aynı şekle sahip Ag veya Au parçacıklarının büyümesi için şablon olarak kullanılan MgO kristallerinde kübik gözeneklerin oluşumunun egzotik doğasından bahsedelim.
"Kaliteli" filmlerin (yapışkanlık, homojenlik ve nihayetinde epitaksi) büyümesi, başarısını biriktirmeden önce uygun bir yüzey temizleme adımına borçludur. Mevcut birkaç teknik arasında püskürtme, basitliği ve kirleticilerin doğasına duyarsızlığı nedeniyle çekicidir.
Bununla birlikte, iyonların neden olduğu hasar, daha sonra kristal alt tabakalar üzerinde büyütülen filmlerin epitaksisini etkileyebilir ve yerinde termal tavlama ile onarılması gerekir.
Teknolojik araştırmalar, püskürtme deneylerinde yaygın olarak kullanılan Ar iyonlarının, Si substratlar üzerindeki doğal oksidi ve adsorbe edilmiş molekülleri kapsamlı bir hasar vermeden uzaklaştırmak için optimal enerjisinin 150–200 eV olduğunu, Sn'nin ise 14 keV'de maksimum olduğunu göstermektedir.
Temaları Geliştirme
Temaları geliştirirken, bazı yönlerden bizimkine benzeyen uzun vadeli bir büyüme tedavisi sunarlar ve fikirlerini daha ayrıntılı olarak ele alırız. Bu noktada önemli olan dinamik gelişen sistemlerin koordinasyonu konusuna önem verdiklerini belirtmektir.
Belirtilen beş alt sistemi, kısmen birbirinden bağımsızdır ve kısmen karmaşık bir karşılıklı nedensellik sistemi içinde birbiriyle ilişkilidir. Teknolojik değişimin ve ekonomik büyümenin tarihsel dinamiklerini anlamanın, bu alt sistemlerin yarı-özerk ve yarı-bağımlı evrimlerini koordine eden süreci anlamayı gerektirdiğini savunuyorlar.
Bu koordinasyon süreci açık değildir, ancak bireylerin ve grupların eylemlerinden kaynaklanan ortaya çıkan bir özelliktir. Bu eylemler kısmen hesaplamalara kısmen de uzlaşımlara dayalıdır ve işbirliği, rekabet, güç, strateji ve tahakküm gibi şeylere dayalı birçok farklı davranış biçimi aracılığıyla çatışmaları bütünleştiren gerilimler yaratırlar. Ne yazık ki, yazarlar bu kritik mekanizmayı ayrıntılı olarak özetlemiyorlar.
Bu konuyla ilgili tüm çalışmalar incelendiğinde, bireysel mikro davranışa göre istikrarlı makro davranış üreten piyasa koordinasyonunun türünü anlamaya ayrılan düşünce miktarına rağmen, şu sonuca varmaktan kaçınmak zordur. S-E teorisinde zaman içinde karar vermeye rehberlik eden , şimdiye kadar gerçekten tutarlı bir takdir teorisi geliştirilmemiştir.
Böyle bir teori, ilk olarak, istikrarsızlığa meyilli birçok mikro özelliğe (örneğin, teknolojik değişimde rekabetle bağlantılı pozitif geri besleme döngüleri) sahip olmasına rağmen, piyasaların nasıl koordine ettiğini ve göreli istikrarı nasıl ürettiğini göstermeye ihtiyaç duyacaktır. Hükümetlerin ve diğer kamu kurumlarının bu tür piyasalarda faydalı işlevlerini tesis etmek gerekir.
Bunun için Arrow Debreu modeline SE analojisini beklemeliyiz, ancak bu çok daha karmaşık olacaktır. Böyle bir teorinin yokluğunda, koordinasyon sisteminin ne kadar iyi çalıştığını ve varsa hangi kamu politikalarının işleyişini iyileştirebileceğini tam olarak anlayamayız.
İçsel Büyüme Teorisinde Koordinasyon
Yeni klasik paradigmada çalışmayan bazı içsel büyüme teorisyenleri, son zamanlarda koordinasyon sorununun evrimsel görüşüne kapıldılar. Bu çalışmanın çoğu, mikro süreçlerde kararsızlığın nedenlerini göstermeye yöneliktir. Buradaki modern çalışma en azından Brian’a kadar uzanıyor.
1980’ler boyunca teknolojik değişimle ilişkili süreçlerin çoğunun olumlu geri bildirim döngüleri yarattığını savunan Arthur. Örneğin, bazı temel yeni teknolojilerin iki veya daha fazla versiyonunun birbiriyle rekabet ettiği yaygın durumda, birinin geçici bir avantaj elde etmesi durumunda, kendisini rakibinden daha da ileriye iten artan bir Ar-Ge akışını finanse etmek için yeterli kar üretebilir.
Sonunda, daha zayıf rakip üzerinde Ar-Ge’ye yapılan ödeme o kadar küçük olabilir ki, üzerinde daha fazla çalışma yapılmaz. Bununla birlikte, böyle bir sürecin, uzun bir süre boyunca eşit bir Ar-Ge girdisi ile üstün alternatif olarak ortaya çıkmış olanı seçeceğinin garantisi yoktur.
Teknolojik ilerlemeyle ilişkili belirsizlik göz önüne alındığında, her ikisinin de olanaklarını keşfetmek için yeterli zaman verilmiş olsaydı, hangisinin üstün versiyon olacağını olaydan sonra göstermenin bir yolu yoktur. Bu gibi durumlarda, eğer varsa, denge benzersiz değildir ve tarihsel kazalar önemlidir.
Son zamanlarda, birkaç başka pozitif geri besleme döngüsü vakası araştırılmıştır. Örneğin, belirli bir faktör girdisinden tasarruf etmek için tasarlanmış Ar-Ge’yi düşünün. Geleneksel teoriye göre, bir faktör kıt hale gelirse, fiyatı artacak ve bu nedenle, ondan tasarruf etmek için tasarlanan Ar-Ge’ye yapılan ödeme artacaktır.
Ancak faktörün büyük miktarları kullanımda değilse, Ar-Ge’ye yapılan toplam ödeme, fiyatı düşük olmasına rağmen yaygın olarak kullanılan bazı bol faktörden tasarruf etmenin beklenen getirisinden daha az olabilir.
Herkes Ar-Ge yapabilseydi, herkesin erişebileceği mükemmel sermaye piyasaları olsaydı ve Ar-Ge ile ilgili bölünmezlikler olmasaydı (kurulum maliyeti, öğrenme eğrisi yok vb.) karlı olasılık araştırılacaktır. Ancak bu koşulların hiçbirinin geçerli olmadığı göz önüne alındığında, Ar-Ge’nin kıt faktörden mi yoksa bol faktörden tasarruf etmeye mi yönlendirileceği konusunda genel bir tahmin yoktur.
Harrod-Domar BÜYÜME MODELİ
Ak modeli nedir
içsel büyüme modelleri nelerdir? diğer büyüme modellerinden ayrılan yönleri nelerdir?
Büyüme Teorileri
Lucas Modeli nedir
Romer BÜYÜME MODELİ
Barro modeli nedir
İçsel büyüme oranı formülü
Daha genel olarak, Batı’nın teknolojik değişim tarafından yönlendirilen büyümenin neden olduğu rahatsızlığı kabul etmeye istekli olarak zenginleştiğini savundu. Bazıları kendilerini yeni teknolojilerden yararlanmak için iyi donanımlı bulurken, eski teknolojilerin gerektirdiği becerilere yatırım yapan beşeri sermayeye sahip diğerleri kaybedince, kazanılmış menfaatler kaybeder ve eşitsizlikler genellikle daha da kötüleşir.
Teknolojiler insan sermayesinin yoğun kullanıcıları olduğunda, yeni süreçten kazananların kendilerini ve çocuklarını yüksek piyasa fiyatına hükmeden beceriler konusunda daha iyi eğitebilecekleri konusunda olumlu bir geri bildirim döngüsü vardır. Rosenberg ve Birdzell, diğer alanlara kıyasla Batı’nın bu tür aksaklıklara karşı hoşgörülü olduğunu ve sürdürülebilir ekonomik büyümenin faydasını elde ettiğini savunuyor.
İşte olumlu geribildirimin açık bir örneği: ‘ona (veya ona) verilen’. Batı, teknolojik değişimin yarattığı sarsıntıya müsamaha gösterdiği için büyüdü. Bunu yapma kültürünü (ve bu kültürü teşvik eden kurumları) geliştirirken, on dokuzuncu ve yirminci yüzyılın başlarında onunla diğerleri arasındaki uçurumun artmasıyla birlikte daha da büyüdü.
Ancak diğer uluslar, teknolojik değişimin sonuçlarını kabul etmeye ve onu karşılayan koşulları yaratmaya istekli olduklarında, büyümeye ve Batı ile aralarındaki gelir farkını daraltmaya başladılar. Bugünün dünyasında, ABD’de Avrupa’dan daha yüksek olmakla birlikte, bu hoşgörünün Batı’da da açık bir ayrımı var.
Bu tür olumlu geri besleme döngülerinin, büyümenin bozulmalara ve her türlü denge dışı davranışın eşlik etmesine neden olabileceği anlaşılmaktadır. Şimdiye kadar, içsel büyüme teorisi, neoklasik bakış açısına tepki verirken, piyasanın bireysel kararları nasıl ve neden mükemmel bir şekilde koordine edemediğini vurguladı.
Evrimci ekonomistler tarafından uzun zaman önce ortaya atılan konulara çok daha az dikkat çekildi: Bu kadar çok mikro istikrarsızlık kaynağı içeren bir sistem, az çok koordineli bir şekilde, mükemmel bir şekilde koordine edilmemiş, ancak kaotikten daha istikrarlı bir şekilde nasıl ilerleyebilir?