Simülasyonlar
Simülasyonlar, süzülmenin Si konsantrasyon eşiğini (bu işlem NC'lerin şarj edilmesini engeller) ve implantasyon veya post için optimum sıcaklık aralığını tahmin etmeyi mümkün kılar. NC'lerin kontrollü bir büyümesiyle birlikte substrat arayüzünde Si çözünen atomlarının yakalanmasının, uçucu olmayan belleklerin üretimi için uygun bir kendi kendine hizalanmaya yol açtığı tavlama işlemidir.
Birçok yazar tarafından IBS tekniğinin kullanışlılığını övmek için ileri sürülen bir argüman, yüzeye yakın parçacıkların yüksek doldurma faktörlerini elde etmektir. Aslında bu özellik, dipolar etkileşimlerin optik ve manyetizmadaki iyi bilinen etkisinden dolayı genellikle nanokompozit sistemlerin performansları için zararlıdır.
Gösterilen Ag parçacıklarının görünür aralığındaki plazmon rezonansı, büyüklük saçılmalarındaki ve etkileşimlerindeki artışın birleşik etkileri altında, artan Ag akışıyla daha geniş hale gelir.
Benzer şekilde, manyetik kayıt ortamındaki bitleri oluşturan taneler arasındaki etkileşim, gürültüyü azaltmak için sınırlandırılmalıdır. Aslında, çoğu çalışmada implante edilmiş 3D manyetik atomların konsantrasyonunu artırmanın tek yararı, katkılı katmanın sığ kalınlığını telafi etmektir. Yarı iletkenlerdeki eksitonların hapsedilmesi de parçacıkların toplanmasıyla bozulur.
Si NC'ler, MOS yapılarında şarj enjeksiyonu için yararlı olmalarının yanı sıra, sarı lüminesansları veya NC'lerdeki eksitonlarınkine yakın bir enerjide uyarılmış bir seviyede nadir toprak elementlerini aktive etmeleri ile de ilgi çekicidir. Bir kez daha kalite kriteri, NC'lerin 2–3 nm aralığında dar bir boyut dağılımıdır, böylece boşlukları örneğin 4I15/2'den 4I9/2 durumuna Er3+ iyonlarının uyarılma enerjisine uyar.
Ardışık olarak Si iyonları ile implante edilen Er iyonlarının hassaslaşması kapsamlı bir şekilde incelenmiştir ve sonuçlar, aynı anda elde etmenin zor olduğu bir okul vakasını oluşturmaktadır: (i) Uygun boyutta Si kümeleri, (ii) Er atomları yerine oksit içinde katı çözeltide silisit partiküllerinde [PIV 03], (iii) fakat aynı derinlikte. Bununla birlikte, bazı yararlı cihazlar fabrikasyon gibi görünüyor.
IBS Tarafından Elde Edilen Çeşitli Yapılar
IBS, sıralı implantasyon yoluyla tek bir elementten veya bir bileşikten yapılmış çok çeşitli nanokristaller ve kuantum noktaları oluşturmak için kullanılmıştır. Yağışın doğası implantasyon sırasına bağlı olabilir.
Kontrollü bir plazmon rezonans enerjisine sahip alaşımlı parçacıklar elde etmek amacıyla 2 metalin implantasyonu, örneğin tavlamadan sonra 2 element bir çözünürlük aralığı gösterdiğinde veya bunlardan biri matriste daha fazla çözünür olduğunda çekirdek-kabuk parçacıklarının oluşumuyla sonuçlanır.
Zhao ve diğerleri tarafından önerilen bir çözüm vardır. homojenliği engelleyen ve oluşan fazların doğasını değiştiren ikinci implantasyon sırasında ilk implante edilen iyon türlerinin yeniden dağılımı sorununa, iki iyon tabancası arasında hızlı geçişi içeren dinamik birlikte implantasyon dahildir.
Hemen hemen tüm yarı iletkenlerin NC'leri, NC'leri daha büyük boşluklu bir matrise gömerek eksitonları sınırlamak ve yüzeylerini çevre ile reaksiyona karşı korumak amacıyla silika, alümina ve silikonda sentezlenmiştir.
Temel bir bakış açısından, konağın iyonikliğinin oluşan fazların kristal doğasını etkilediğini not etmek ilginçtir. Örnek olarak, implantasyon koşullarını değiştirerek a-Al2O3'te altıgen wurtzite veya kübik çinkoblend yapısına sahip CdS ve CdSe kristalleri üretmek mümkündür, çünkü bu matris balistik hasara karşı çok az hassastır.
İmplantasyon orta sıcaklıkta (~600°C) gerçekleştirildiğinde, dinamik tavlama alümina kristalini tutar ve epitaksiyel ilişkiler altıgen yapı ile NC'lerin oluşumunu destekler. Aksine, implantasyon düşük bir sıcaklıkta (LN2) gerçekleştirildiğinde, alüminanın yakın yüzey bölgesi amorfize olur.
Simülasyon tekniği
Simülasyon Örnekleri
Simulasyon Nedir
Simülasyon eğitimi
Simülasyon Nasıl Yapılır
Simülasyon Programları
Simülatör Nedir
Simülasyon nedir kısaca
Tavlamanın ardından, şekilsiz katman ilk önce aynı simetriye (çinkoblend) sahip NC'leri gömen metastabil γ-Al2O3 kübik yapısı ile kristalleşir. Dinamik tavlamanın az ya da çok verimliliğiyle ilişkilendirilen başka bir yapı modifikasyonu örneği, tek Si kristallerinde β-FeSi2 sentezi sırasında gözlemlenendir.
Fe atomlarını yeterince yüksek sıcaklıkta (yaklaşık 400°C) silikon içine yerleştirirken, eksenleri Si eksenine paralel hizalanmış β-FeSi2 çökeltileri elde edilir. Fe daha düşük sıcaklıkta implante edildiğinde rastgele yönlendirilmiş parçacıklar oluşur. 800°C veya daha fazla sıcaklıkta daha fazla tavlamadan sonra, Si tek kristalinin yapısı ikinci durumda mükemmel bir şekilde geri yüklenirken, epitakside parçacıkları içeren kristalde çok sayıda dislokasyon döngüsü kalır.
Metaloid emplantasyon yoluyla seramik bileşiğinin metallere sentezlenmesi durumunda, yeni oluşan fazlar genellikle nadiren amorfize olan (bilinen metalik cam bileşimleri dışında) matris tanecikleri ile epitaksi içinde büyür. Örneğin, yakın paketleme düzlemleri arasındaki epitaksi ilişkileri ile N'nin Ti'ye implantasyonu ile ikinci dereceden bileşik Ti2N'nin, ardından kübik faz TiN'nin oluşumunu gözlemliyoruz.
Kanallaşma koşullarında implantasyon, iyon aralığını önemli ölçüde artırmayı ve konakçı materyalin zarar görmesini sınırlamayı mümkün kılar. Menzildeki artışla bağlantılı olarak, ekilen türler kendi kendine püskürtmeye daha az maruz kalır ve doğal oksit yüzey tabakasından geri tepme implante edilmiş O atomları ile oksidasyona karşı daha fazla korunur. Gömülü ve saf FeSi2 veya ErSi2 katmanları bu koşullarda büyütüldü.
Nadir gaz atomları, genellikle tüm malzemelerde yüksek akışlarda kabarcıklar oluşturur; bu etki, iyon tabancalarının veya reaktörlerin duvarlarının kabarmasının kökenindedir. Bu boşluklar, örneğin daha sonra yüzey üzerinde buharlaştırılan ve başka bir ısı veya ışınlama işlemiyle karıştırılan katmanlardan oluşan parçacıkların tercihli çekirdeklenme bölgeleri olarak kullanılabilir.
Aynı şekle sahip Ag veya Au parçacıklarının büyümesi için şablon olarak kullanılan MgO kristallerinde kübik gözeneklerin oluşumunun egzotik doğasından bahsedelim.
"Kaliteli" filmlerin (yapışkanlık, homojenlik ve nihayetinde epitaksi) büyümesi, başarısını biriktirmeden önce uygun bir yüzey temizleme adımına borçludur. Mevcut birkaç teknik arasında püskürtme, basitliği ve kirleticilerin doğasına duyarsızlığı nedeniyle çekicidir.
Bununla birlikte, iyonların neden olduğu hasar, daha sonra kristal alt tabakalar üzerinde büyütülen filmlerin epitaksisini etkileyebilir ve yerinde termal tavlama ile onarılması gerekir.
Teknolojik araştırmalar, püskürtme deneylerinde yaygın olarak kullanılan Ar iyonlarının, Si substratlar üzerindeki doğal oksidi ve adsorbe edilmiş molekülleri kapsamlı bir hasar vermeden uzaklaştırmak için optimal enerjisinin 150–200 eV olduğunu, Sn'nin ise 14 keV'de maksimum olduğunu göstermektedir.
Öğrenme
Yeni bir teknolojinin potansiyeli, tasarım, uygulama ve kullanma olmak üzere üç öğrenme mekanizması aracılığıyla ortaya çıkan yenilikçi faaliyetler aracılığıyla gerçekleşir. Bir ürün tasarlanırken, onun hakkında çok şey öğrenilir ve istenen performans özelliklerinin spesifikasyonlarında yer alan şeyler genellikle değiştirilmek zorundadır.
Ürün ilk üretildiğinde, nasıl üretileceği hakkında çok şey öğrenilir ve üretimdeki verimlilik, olağan yaparak-öğrenme eğrisinde tanımlandığı gibi artar. Ürün kullanıma sunulduktan sonra, performansının beklenenden farklı olduğu (hem olumlu hem de olumsuz yönlerde) kanıtlandığı için daha fazla öğrenme gerçekleşir ve kullanıcılar performans özelliklerinin nasıl değiştirilmesini istediklerini öğrenirler.
Her üç öğrenme türü de öğrenme eğrilerini ve yola bağlı, zamana geri döndürülemez süreçleri ifade eder. İlginç bir şekilde, yeni teknolojilerin sıklıkla yaptığı bir şey, bu üç öğrenme türü arasındaki dengeyi değiştirmektir. Örneğin, bilgisayar destekli tasarım (CAD), önceden mümkün olan bazı tasarım yoluyla öğrenmenin maliyetini düşürdü ve tasarım yoluyla diğer öğrenme biçimlerini daha önce imkansız oldukları yerde teknik olarak mümkün hale getirdi.
Olumlu geri bildirimlerle teknolojik evrime, tipik olarak, çoğu ana teknolojileri oluşturan alt teknolojilerin hepsi aynı verimlilik düzeyinde performans göstermediği için ortaya çıkan verimlilik belirginlerinin ortaya çıkması eşlik eder.
Sonuç olarak, belirli bir ana teknolojinin performansı, en zayıf halkasının performansıyla, en zayıf performans gösteren alt teknolojisiyle sınırlıdır ve bunun bir “ters çıkıntı” yarattığı söylenir. Kesinliğin olduğu bir dünyada, Ar-Ge, en zayıf halka kalmayıncaya kadar tüm alt teknolojiler üzerinde ilerleyecektir. Ancak belirsizlik dünyasında bu gerçekleşmez.
Ters göze çarpanlar, zayıf alt teknolojinin işleyişini iyileştirmede Ar-Ge’yi yönlendirmek için bir teşvik sağlar. Ancak iyileştirme geldiğinde, tipik olarak verimliliği, ters çıkıntıyı ortadan kaldıracak kadar artırmaz. Bunun yerine, verimlilik tipik olarak daha fazla artacak, onu belirgin hale getirecek ve başka bir ters belirgin veya en zayıf halka ve bu alt teknolojiyi geliştirmek için bir teşvik yaratacaktır.
Tüm bu süreç, herhangi bir alt teknolojideki iyileştirmelerin, diğer bazı alt teknolojilerin verimliliğini artırmaya yönelik Ar-Ge’nin getirisini artırdığı olumlu bir geri bildirim döngüsü yaratır. (Burada söylenen her şey, aynı zamanda, bazı nihai ürünleri üretmek için birkaç ana teknolojinin işbirliği yaptığı teknoloji sistemleri için de geçerlidir.)
GENEL AMAÇLI TEKNOLOJİLER
Buraya kadar teknolojinin ve teknolojik değişimin bazı temel yönlerini tartıştık. Bölümün geri kalanının çoğunda, GPT’lerde kısaca tanıttığımız belirli bir teknoloji türüne odaklanıyoruz. Önce kavramın tanımını dikkate değer ayrıntılarla ele alıyoruz.
Bu gereklidir, çünkü başkaları tarafından çeşitli tanımlar kullanılmıştır ve kendi tanımımızı geliştirirken, GPT’lerden ekonominin geri kalanına yayılan zengin yayılma kümesi de dahil olmak üzere önemli miktarda önemli ilgili materyali ele alıyoruz. .
Bir sonraki bölümde kavramın kullanışlılığını ele alırken, diğerlerinin GPT’ler hakkında yazdıklarını inceleyeceğiz. GPT’ler hakkında söylediğimiz şeylerin çoğunun diğer teknolojiler için de geçerli olduğunu unutmayın. Aksi şaşırtıcı olurdu, çünkü bunun tersi, GPT’lerin tüm özelliklerinde benzersiz olduğunu ima ederdi.
Teknolojinin gelişimi
Teknoloji – Vikipedi
Teknoloji Nedir
Bilgi işlem Daire Başkanlığı İçişleri Bakanlığı
Bilgi Teknolojileri Genel Müdürlüğü
İçişleri Bakanlığı Bilgi İşlem daire Başkanlığı İletişim
Teknoloji Nedir kısaca
Bilgi Teknolojileri Genel Müdürlüğü telefon
GPT Ne Değildir?
Şimdi GPT’lerin kavramsallaştırılmasına doğru ilerliyoruz, önce onları tanımlamada yardımcı olmayan özellikleri ana hatlarıyla belirtiyoruz ve sonra olanları tartışıyoruz.
GPT, zaman içinde gelişmesine rağmen baştan sona tek bir genel şey olarak tanınabilen genel bir ürün, süreç veya organizasyon biçimidir. Örneğin, modern PC’ler ilk atalarından farklı olsalar da, onlar ve araya giren çeşitler, elektronik olarak hesaplamalar yapan bir makine olan genel bir teknolojinin örnekleri olarak kabul edilebilir.
Buharla çalışan bir piston aracılığıyla güç sağlayan bir makine olan buhar motoru, GPT olan genel teknolojidir, ancak herhangi bir bireysel varyant değildir. Hayvanların evcilleştirilmesi, hayvanların çoğaltılması ve seçici üreme yoluyla iyileştirilmesiyle ilgili belirli bir talimatlar dizisi olan bir süreç teknolojisidir.
Talimatlar birçok farklı hayvan yaratmak için kullanılır ve zaman içinde ‘aşırı akrabalı yetiştirmeden kaçının’ gibi yeni talimatlarla rafine edilir, ancak baştan sona bir dizi genel talimat olarak tanınırlar.
Her bir ürün çeşidini veya bir hayvanla ilgili belirli talimat setini bir GPT olarak kabul edersek, GPT’lerin verimlilikleri ve uygulama alanları arttıkça farklı tezahürler yoluyla geliştiği özelliklerini kaybederiz.
Çoğu yeniliğin ekonomik sinyallere içsel olduğu yönündeki konumumuzun aksine, diğer birçok yazar ya gerçek olarak tartışmış ya da teorik kolaylık için GPT’lerin büyük ölçüde ekonomik sisteme dışsal olduğunu varsaymıştır. Belirli bir teknolojinin ekonomik güçlere içselliğiyle tam olarak başa çıkmak için iki sorunun dikkate alınması gerekir: Teknolojinin evriminde hangi aşamadan bahsediyoruz?
Hemen hemen tüm GPT’ler, orijinal olarak, nihai benliklerinin ham versiyonları olarak az gelişmiş bir biçimde sunulur. Bir teknolojinin rafine edilmesi süreci uzun soluklu bir iştir.
Bir teknolojinin orijinal tanıtımı ekonomik sisteme eksojen olsa bile (kendisi nadir görülen bir olaydır), daha sonraki gelişimi kısa sürede büyük ölçüde ekonomik kaygılar tarafından yönlendirilir. Bu nedenle, GPT’lerin dışsal gelişiminden bahsedenler, bu GPT’nin evriminin en erken aşamalarından bahsediyor olmalıdır.
İkinci soru daha karmaşık. Farklı GPT’lerin tanıtılması, farklı etkilere içsel olabilir. Örneğin, GPT doğrudan mevcut bir teknolojideki bir krizden veya açıkça algılanan karlı bir fırsattan kaynaklanıyorsa, teknolojinin ekonomik sistem için içsel olduğu sonucuna varabiliriz.
Savery buhar pompasının ve Newcomen’in atmosferik motorundaki gelişmeler açık örneklerdir. Bununla birlikte, bir teknoloji başlangıçta bilimden veya siyasi/askeri kaygılardan gelenler gibi ekonomik olmayan etkilere içsel olabilir.
Ekonomik sinyaller yerine bilimsel bir araştırma programı erken gelişimini yönlendirdiğinde, yeni bir teknoloji saf bilim için endojendir. Elektrik, böyle bir teknolojinin bir örneğini sağlar. Elektrik, kökleri on altıncı yüzyılın başlarına kadar uzanan bir araştırma programı aracılığıyla geliştirildi.