Güneş Panel Kristalleri – Enerji Mühendisliği Ödevleri – Enerji Mühendisliği Ödev Hazırlatma – Enerji Mühendisliği Alanında Tez Yazdırma – Enerji Mühendisliği Ödev Yaptırma Fiyatları
Güneş Panel Kristalleri Temel fizik bölümünde silisyumun özellikleri hakkında söylenenler göz önüne alındığında, kristal silisyumdan ince film hücre yapmak çelişkili görünebilir. Bununla birlikte, yalnızca birkaç mikrometre kalınlığa sahip kristal Si hücrelerinin makul verimliliğe sahip olabileceği hem teorik hem de pratik olarak gösterilmiştir. Anahtar, filmin akıllı optik tasarımıdır. Toplam iç yansıma ile ışık, film kalınlığını otuz kat veya daha fazla aşan bir yol uzunluğu ile sonuçlanarak bir film içinde dağılabilir ve sınırlandırılabilir. Aynı zamanda ışık kaynaklı taşıyıcıların aktif bölgelere çok yakın yüzeylerde yeniden birleşmediğinden emin olunmalıdır. Optik ve elektriksel sınırlama terimi, kristalin ince film güneş pillerinin çalışma prensibini açıklamak için türetilmiştir. Güneş pilleri için daha ince silikon gofretlerle ilgili ilk düşünceler, rekor yüksek verimlilikler için ideal parametreleri simüle ederken yapıldı. Azalan hücre kalınlığıyla, yine azalan aktif hacmin bir sonucu olan azalan doyma akımı nedeniyle açık devre voltajının arttığına dikkat çektiler. Bu makalelerde, 30 μm mertebesinde bir kalınlığın faydaları ölçüldü ve bu avantajdan yararlanmak için düşük yüzey rekombinasyon hızlarının ve iyi bir optik sınırlamanın önemi de gösterildi. Silikon katmanlarda ışık yakalama ile ilgili ilk teorik çalışma, Lambertian arka reflektörü basit ama etkili bir yapı olarak öneren Goetzberger tarafından yapılmıştır. Işık yakalamanın farklı olasılıkları gösterilmiştir. Önemli bir maliyet azaltma potansiyeli içeren çok çeşitli teknolojik avantajlar da açıklanmıştır. Bu temel çalışmalardan sonra, artan sayıda grubun çeşitli teknolojik sorunları belirlemesi ve bu sorunların üstesinden gelmek için ilk güneş pillerini test etmesi on yıldan fazla zaman aldı. Günümüzde, kristalin Silikon İnce Film Güneş Pillerinin geliştirilmesi için itici güçtür. Bu bölümün yanı sıra ince film malzemeleriyle ilgili sonraki bölüm de kısmen yeni bir incelemeyi takip ediyor. Kristalin Silikon İnce Film Güneş Pilinin Temel Bileşenleri Tüm c-SiTFC yaklaşımlarının bağlantı özelliği, tipik olarak 5 ila 50 μm'lik aktif silikon katmanının azaltılmış kalınlığı nedeniyle mekanik bir destek olarak ihtiyaç duyulan altta yatan alt tabakadır. Alt tabaka ya daha önce bahsedilen SSP-şeritleri gibi düşük kaliteli silikondan ya da cam, seramik ya da grafit gibi yabancı alt tabakalardan oluşur. Substrat malzemesinin seçimi, güneş pili işleme için izin verilen maksimum sıcaklığı belirler ve bu nedenle, neredeyse tüm c-SiTFC yaklaşımları, üç kategoriden birine atanabilir: (i) yüksek sıcaklık yaklaşımı; (ii) düşük sıcaklık yaklaşımı; ve (iii) aşağıda açıklanan transfer teknikleridir. Ayrıca, elektriksel olarak iletken substrat malzemelerinin kullanılması, geleneksel ön ve arka yan hücreye olanak sağlar; yalıtım malzemeleri, birkaç hücrenin yekpare seri bağlantılarına izin verir. Alt tabaka ile ilgili en kritik gereksinimler, düşük maliyet, termal kararlılık, uygun bir termal genleşme katsayısı, mekanik kararlılık ve belirli bir yüzey düzgünlüğüdür. Burada ele alınan tipte bir ince film hücresinin temel yapısı gösterilmektedir. Hücre işlemede ortaya çıkan yüksek sıcaklıklar nedeniyle, safsızlıklar substrattan aktif silikon tabakasına geçebilir ve dönüşüm verimliliği üzerinde zararlı etkilere neden olabilir. Bu nedenle, Si02 veya SiNx gibi bariyer katmanlarının, elektriksel olarak aktif silikon katmanın çökeltilmesinden önce substrat üzerinde biriktirilmesi, safsızlık difüzyonunu bastırmak için etkili bir önlemdir. Ayrıca, bu tür ara katmanlar, iyi bir optik hapsetme elde etmek için bir arka yan reflektör görevi görebilir. Kabaca sıvı faz ve gaz fazı biriktirme ana gruplarına tahsis edilebilecek çok çeşitli silikon biriktirme teknolojileri vardır. Sıvı faz biriktirmede ilgili substrat, silikonla doyurulmuş bir metal eriyiği (Cu, Al, Sn, In) ile temas ettirilir. Eriyiğin sıcaklığının düşürülmesiyle, aşırı doygunluk meydana gelir ve alt-tabaka üzerinde silikon birikir. Substrat sıcaklığı 800–1.000◦C aralığında yer alır ve biriktirme hızları birkaç μm/sa ile 10 μm/sa arasında değişir. Sıvı Faz Epitaksi (LPE) işlemi terimi, büyüme epitaksiyel olmadığında, yani substratın kristal yönelimini yeniden ürettiğinde de kullanılır. Mikroelektronikte iyi bilinen bir yöntem olan Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) yönteminde, H2 ve öncü maddeler SiH4, SiH2Cl2 veya SiHCl3'ün bir karışımı, alt tabakanın sıcak yüzeyinde termal olarak ayrıştırılır. Monokristal Güneş Paneli Monokristal Polikristal güneş paneli Farkları Monokristal panel Dünyanın en verimli güneş paneli Monokristal Güneş Paneli Fiyatları Polikristal güneş Paneli Nedir Monokristal güneş paneli verimi Monokristal polikristal farkı En yaygın teknikler düşük basınçlı ve atmosferik basınçlı CVD'dir (LP-, AP-CVD), ancak aynı zamanda plazma ile zenginleştirilmiş, iyon destekli veya sıcak tel CVD (PE-, IA- veya HW-CVD) de kullanılır. 300◦C ile 1.200◦C arasındaki sıcaklıklarda silikon filmler biriktirin. Güneş pillerinin büyük ölçekli üretiminde kullanıldığında farklı biriktirme yöntemlerinin ekonomik yönleri hakkında çok az şey bilinmektedir, ancak sürekli hat içi işleme potansiyeli ve 5 μm/dk'dan daha yüksek gerçekleşen biriktirme hızları nedeniyle APCVD'ye doğru bir eğilim vardır.  Genel bir eğilim olarak, hücre verimliliği tane boyutuyla birlikte artar. Bunun nedeni, pasifleştirilmemiş durumdaki tane sınırlarının, azınlık taşıyıcılarının difüzyon uzunluğunu büyük ölçüde azaltan çok etkili rekombinasyon alanları olabilmesidir. Öte yandan, yüksek dönüşüm verimliliği elde etmek için difüzyon uzunluğunun aktif Si tabakasının kalınlığını en az iki kat aşması gerektiği simülasyonlardan iyi bilinmektedir. Bu nedenle, Si filmler ara katmanlarda veya yabancı alt tabakalarda biriktiğinde ve bu nedenle kabul edilebilir azınlık taşıyıcı hareketlilikleri için çok ince taneli olduğunda, yeniden kristalleştirme yoluyla bir yükseltme önerilir. Enerjiyi Si katmanına bağlamak için kullanılan prosedüre ve alt tabakadan izin verilen termal bütçeye bağlı olarak çeşitli yöntemler kullanılmıştır. Sıvı faz yoluyla meydana gelen en yaygın yeniden kristalleştirme mekanizmaları, lazer, elektron ışını, şerit ısıtıcı veya halojen lamba yeniden kristalleştirmedir. Sıvı bölgenin şekline ve boyutuna, Si taneciklerinin çekme hızına, erime derinliğine, üç boyutlu sıcaklık gradyanına ve dolayısıyla ortaya çıkan Si tabakasındaki tane boyutuna ve kusur yoğunluğuna ve son olarak ölçeklenebilirliğe göre ayırt edilirler. 

Doğal Sirkülasyon Sistemleri – Enerji Mühendisliği Ödevleri – Enerji Mühendisliği Ödev Hazırlatma – Enerji Mühendisliği Alanında Tez Yazdırma – Enerji Mühendisliği Ödev Yaptırma Fiyatları

Dolaşımsız Sistemler

Mümkün olan tüm ilkelerin bu en temelinde, ısı transfer ortamı ve tüketici tarafından fiilen kullanılan sıvı aynı ortamdır. Normal içme veya kullanma suyu devresinde uygun bir kollektör entegre edilmiştir. Kollektörden akarken su ısıtılır ve daha sonra kullanılabilir. Bu temel ilke, bir örnek vermek gerekirse, depo toplayıcılarda kullanılır.

Açık doğal dolaşım sistemleri

Tüm sirkülasyon konseptleri içinde en temel olan bu, kollektör, gidiş ve dönüş borusu ile basınçsız, açık bir depodan oluşur. Doğal dolaşımın nedeni, artan sıcaklıkla bir sıvıda yoğunluğun azalmasıdır.

Örnek vermek gerekirse, 20 °C’deki su yoğunluğu 998 kg/m3 ve 80 °C’deki sadece 972 kg/m3’tür. Kollektördeki sıcak sıvı ile depodaki soğuk akışkan ve kollektör akış borusu arasındaki bu yoğunluk farkları, eğer daha soğuk ortamlı depo kollektörün üzerinde konumlandırılmışsa sistem içinde sirkülasyonu oluşturur.

Yoğunluktaki bu farklılıkların itici güçlerine, boru sürtünmesinin neden olduğu basınç düşüşü karşı çıkar. Kaldırma basıncı ve akışın neden olduğu basınç kayıpları, dururken aynıdır. Bu, sıvının kütle akışına neden olur. Radyasyon şiddeti artarsa kollektör çıkış sıcaklığı da artar ve bununla birlikte depo ile kollektör arasındaki sıcaklık farkı da artar.

Kütle akışı artırılır, artan miktarda ısı transfer ortamı ve onunla birlikte ısı depoya taşınır ve depolama ortamına salınır. Sonuç olarak, kollektördeki sıcaklık tekrar düşer.

Bu nedenle, bu, en azından temel haliyle, sensörler ve kontrol cihazları olmadan çalışabilen kendi kendini düzenleyen bir sistemdir.
Bu durumda doğal dolaşım sistemi açıktır. Aynı sıvı, doğrudan kullanıcıya aktarılan kollektörden akar ve ısıtılarak kullanılır.

Güney ülkelerinde genellikle don tehlikesi bulunmadığından ve bu nedenle ısı transfer ortamı kollektör devresinde donamayacağından, bu tür sistemler bu bölgelerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Kollektör devresi, içinden genellikle içme suyu aktığı için korozyona dayanıklı olmalıdır.

Kapalı Doğal Sirkülasyon Sistemleri

Doğal sirkülasyon sistemlerinde donma ve korozyonu önlemek için kollektör devresi kapatılabilir.

Ancak bu, normalde kollektör devresindeki ısıyı, ısıyı daha fazla dağıtabilecek bir depoya bırakan bir ısı transfer ortamı gerektirir.

Devre ortamdan izole edildiğinden, normalde daha fazla basınç altındadır. Güvenli bir şekilde çalışması için, birincil devreye bir genleşme tankı ve bir basınç kontrol vanası takılmalıdır. Dona maruz kalan alanlarda bu tür sistemler kullanılıyorsa, dona karşı dayanıklı ısı taşıyıcılar kullanılmalı ve depo, soğuk ve sıcak su servis boruları dona karşı korunmalıdır.

Açık cebri sirkülasyon sistemleri

Soğutucu (örn. ısı deposu, yüzme havuzu vb.) kollektörlerin üzerine monte edilemiyorsa, devreye bir pompanın entegre edilmesiyle ısı transfer ortamının sirkülasyonu zorlanmalıdır. Kollektörlerin ve soğutucunun birbirinden bağımsız olarak yönlendirilmesinin sağladığı avantaj, kollektörlerin normalde çatılarda veya soğutucunun üzerindeki boş alanlarda konumlandırıldığı açık hava yüzme havuzlarının ısıtılması için önemlidir.

Kollektördeki sıvı, kollektör devre borularından daha hızlı soğursa, pompa çalışmıyorsa gece boyunca sirkülasyon tersine dönebilir. Bu durumda, soğuk sıvı kollektörden aşağı doğru bastırır ve sıcak sıvıyı depodan veya ısı eşanjöründen çıkarır. Bu, örn. toplayıcı dönüş akış borusuna bir çek valf entegre edilmesi.

Kapalı cebri sirkülasyon sistemleri

Açık cebri sirkülasyon sistemleri için, kollektör devresinden akan ortam genellikle normal sudur. Bu nedenle bu sistemler, açık doğal sirkülasyon sistemleri ile aynı donma ve korozyon risklerine maruz kalmaktadır.

Donmayı önlemek için zorunlu devre kapatılır ve içinden donmaya dayanıklı bir sıvı akar. Bu kapalı cebri sirkülasyon konsepti, Orta ve Kuzey Avrupa’daki uygulamalar için en pratik çözümdür. Binaların içinde kullanılıyorsa, toplayıcı normalde çatıya kurulur.

Kollektör devresinden gelen ısı normalde bodrumdaki bir ısı deposuna aktarılır. Kapalı doğal sirkülasyon sistemlerinde ayrıca genleşme tankı ve basınç kontrol vanası gereklidir. Ek olarak, açık cebri sirkülasyon sisteminde olduğu gibi bir çek valf de takılmalıdır.


Açık hava yüzme havuzlarının güneş enerjisiyle ısıtılması

Güneş enerjisi termal enerjisinden yararlanmanın en iyi yollarından biri açık hava yüzme havuzlarının ısıtılmasıdır; ısı talebinin zamanlaması ve mevcut güneş radyasyonu az ya da çok ilişkilidir. Ayrıca içi su dolu olan açık yüzme havuzu depo görevi görebileceği için harici bir ısı deposuna gerek yoktur.

Havuzdaki suyun yalnızca nispeten düşük sıcaklıklara (maksimum yaklaşık 28 °C) kadar ısıtılması gerektiğinden, açık hava yüzme havuzunun çatısına monte edilen basit ve ucuz, üstü örtülmemiş emici paspasların kullanılması veya bitişik bir boş alan, yüksek enerji çıkışı üretir.

Güneş enerjisiyle ısıtılan bir açık hava yüzme havuzunun diyagramını ve akışlarını gösterir. Geleneksel enerji taşıyıcılarına dayalı ek bir ısıtma kaynağının gerekli olup olmadığı, büyük ölçüde sahaya özgü gerekliliklere bağlıdır. Böylece, açık hava yüzme havuzunun ısı kazançları şunlardan oluşur: enerji Q. emiciler tarafından havuza salınan abs, havuza çarpan radyasyonun yarattığı ısı kazançları vb.

Konvektif termal G insan kayıpları Q, radyasyon kayıpları Q ve su yüzeyindeki buharlaşma kayıpları Q konv rad. buharlaşmak
toprağa iletim kayıplarının yanı sıra Qcond, doğal kayıplardır. Su sirkülasyonu nedeniyle (m. in veya m. out), sirkülasyon borularında da ortama az miktarda ısı kaybedilir.

Yaklaşık olarak, toplam radyasyon ve konveksiyon kayıpları (Qrad ve Qconv), havuzdaki su sıcaklığı ile havanın ortalama sıcaklığı arasındaki farka doğrusal olarak bağlıdır. Ortam sıcaklığı havuz suyu sıcaklığının üzerinde ise konvektif termal akış tersine çevrilir; havuz suyu daha sonra konvektif olarak ortam ısısını emer.

Normalde en yüksek olan buharlaşma kaynaklı ısıl kayıplar, havuz alanına, rüzgar hızına, atmosferik neme ve su sıcaklığı ile ortam sıcaklığı arasındaki farka bağlıdır. Toprağa iletim kayıpları düşüktür, tüm ısı kayıplarının yaklaşık %3’ü kadardır.

Havuz gece boyunca kapatılırsa konveksiyon, radyasyon ve buharlaşma kayıpları önemli ölçüde azaltılabilir. Havuzun on saat boyunca standart yutucu malzemelerle kaplanması, buharlaşma kayıplarını yaklaşık %30, radyasyon ve konveksiyon kayıplarını ise yaklaşık %16 oranında azaltır.

Havuz tarafından absorbe edilen güneş ışınımı ile kazanılan enerji, havuz yüzey alanına ve havuz suyunun ve havuz tabanının absorpsiyon derecesine bağlıdır.

Havuz tabanının ve duvarların rengi beyazdan açık maviden koyu maviye doğru koyulaştıkça ve ayrıca artan su derinliği ile emilim derecesi artar. Yüzücüler tarafından salınan ısıya bağlı olarak ek enerji üretilebilir; yüzücünün hareketlerine bağlı olarak, ısı kapasitesi yüzücü başına 100 ila 400 W arasındadır.

Bu enerji üretiminin ötesine geçen herhangi bir enerji talebi, emiciler veya başka bir fosil yakıt (örn. doğal gaz) veya yenilenebilir enerji taşıyıcısıdır.

130 günlük bir yüzme periyodu düşünüldüğünde, havuz alanının metrekaresi başına 540 ile 1.620 MJ arasında ihtiyaç duyulmaktadır. Havuz örtüsüne bağlı olarak ortalama 3 ila 6 °C arasında bir sıcaklık artışı elde etmek için soğurucu alan havuz alanının %50 ila %70’i arasında olmalıdır.