Simülasyonlar
Simülasyonlar, süzülmenin Si konsantrasyon eşiğini (bu işlem NC'lerin şarj edilmesini engeller) ve implantasyon veya post için optimum sıcaklık aralığını tahmin etmeyi mümkün kılar. NC'lerin kontrollü bir büyümesiyle birlikte substrat arayüzünde Si çözünen atomlarının yakalanmasının, uçucu olmayan belleklerin üretimi için uygun bir kendi kendine hizalanmaya yol açtığı tavlama işlemidir.
Birçok yazar tarafından IBS tekniğinin kullanışlılığını övmek için ileri sürülen bir argüman, yüzeye yakın parçacıkların yüksek doldurma faktörlerini elde etmektir. Aslında bu özellik, dipolar etkileşimlerin optik ve manyetizmadaki iyi bilinen etkisinden dolayı genellikle nanokompozit sistemlerin performansları için zararlıdır.
Gösterilen Ag parçacıklarının görünür aralığındaki plazmon rezonansı, büyüklük saçılmalarındaki ve etkileşimlerindeki artışın birleşik etkileri altında, artan Ag akışıyla daha geniş hale gelir.
Benzer şekilde, manyetik kayıt ortamındaki bitleri oluşturan taneler arasındaki etkileşim, gürültüyü azaltmak için sınırlandırılmalıdır. Aslında, çoğu çalışmada implante edilmiş 3D manyetik atomların konsantrasyonunu artırmanın tek yararı, katkılı katmanın sığ kalınlığını telafi etmektir. Yarı iletkenlerdeki eksitonların hapsedilmesi de parçacıkların toplanmasıyla bozulur.
Si NC'ler, MOS yapılarında şarj enjeksiyonu için yararlı olmalarının yanı sıra, sarı lüminesansları veya NC'lerdeki eksitonlarınkine yakın bir enerjide uyarılmış bir seviyede nadir toprak elementlerini aktive etmeleri ile de ilgi çekicidir. Bir kez daha kalite kriteri, NC'lerin 2–3 nm aralığında dar bir boyut dağılımıdır, böylece boşlukları örneğin 4I15/2'den 4I9/2 durumuna Er3+ iyonlarının uyarılma enerjisine uyar.
Ardışık olarak Si iyonları ile implante edilen Er iyonlarının hassaslaşması kapsamlı bir şekilde incelenmiştir ve sonuçlar, aynı anda elde etmenin zor olduğu bir okul vakasını oluşturmaktadır: (i) Uygun boyutta Si kümeleri, (ii) Er atomları yerine oksit içinde katı çözeltide silisit partiküllerinde [PIV 03], (iii) fakat aynı derinlikte. Bununla birlikte, bazı yararlı cihazlar fabrikasyon gibi görünüyor.
IBS Tarafından Elde Edilen Çeşitli Yapılar
IBS, sıralı implantasyon yoluyla tek bir elementten veya bir bileşikten yapılmış çok çeşitli nanokristaller ve kuantum noktaları oluşturmak için kullanılmıştır. Yağışın doğası implantasyon sırasına bağlı olabilir.
Kontrollü bir plazmon rezonans enerjisine sahip alaşımlı parçacıklar elde etmek amacıyla 2 metalin implantasyonu, örneğin tavlamadan sonra 2 element bir çözünürlük aralığı gösterdiğinde veya bunlardan biri matriste daha fazla çözünür olduğunda çekirdek-kabuk parçacıklarının oluşumuyla sonuçlanır.
Zhao ve diğerleri tarafından önerilen bir çözüm vardır. homojenliği engelleyen ve oluşan fazların doğasını değiştiren ikinci implantasyon sırasında ilk implante edilen iyon türlerinin yeniden dağılımı sorununa, iki iyon tabancası arasında hızlı geçişi içeren dinamik birlikte implantasyon dahildir.
Hemen hemen tüm yarı iletkenlerin NC'leri, NC'leri daha büyük boşluklu bir matrise gömerek eksitonları sınırlamak ve yüzeylerini çevre ile reaksiyona karşı korumak amacıyla silika, alümina ve silikonda sentezlenmiştir.
Temel bir bakış açısından, konağın iyonikliğinin oluşan fazların kristal doğasını etkilediğini not etmek ilginçtir. Örnek olarak, implantasyon koşullarını değiştirerek a-Al2O3'te altıgen wurtzite veya kübik çinkoblend yapısına sahip CdS ve CdSe kristalleri üretmek mümkündür, çünkü bu matris balistik hasara karşı çok az hassastır.
İmplantasyon orta sıcaklıkta (~600°C) gerçekleştirildiğinde, dinamik tavlama alümina kristalini tutar ve epitaksiyel ilişkiler altıgen yapı ile NC'lerin oluşumunu destekler. Aksine, implantasyon düşük bir sıcaklıkta (LN2) gerçekleştirildiğinde, alüminanın yakın yüzey bölgesi amorfize olur.
Simülasyon tekniği
Simülasyon Örnekleri
Simulasyon Nedir
Simülasyon eğitimi
Simülasyon Nasıl Yapılır
Simülasyon Programları
Simülatör Nedir
Simülasyon nedir kısaca
Tavlamanın ardından, şekilsiz katman ilk önce aynı simetriye (çinkoblend) sahip NC'leri gömen metastabil γ-Al2O3 kübik yapısı ile kristalleşir. Dinamik tavlamanın az ya da çok verimliliğiyle ilişkilendirilen başka bir yapı modifikasyonu örneği, tek Si kristallerinde β-FeSi2 sentezi sırasında gözlemlenendir.
Fe atomlarını yeterince yüksek sıcaklıkta (yaklaşık 400°C) silikon içine yerleştirirken, eksenleri Si eksenine paralel hizalanmış β-FeSi2 çökeltileri elde edilir. Fe daha düşük sıcaklıkta implante edildiğinde rastgele yönlendirilmiş parçacıklar oluşur. 800°C veya daha fazla sıcaklıkta daha fazla tavlamadan sonra, Si tek kristalinin yapısı ikinci durumda mükemmel bir şekilde geri yüklenirken, epitakside parçacıkları içeren kristalde çok sayıda dislokasyon döngüsü kalır.
Metaloid emplantasyon yoluyla seramik bileşiğinin metallere sentezlenmesi durumunda, yeni oluşan fazlar genellikle nadiren amorfize olan (bilinen metalik cam bileşimleri dışında) matris tanecikleri ile epitaksi içinde büyür. Örneğin, yakın paketleme düzlemleri arasındaki epitaksi ilişkileri ile N'nin Ti'ye implantasyonu ile ikinci dereceden bileşik Ti2N'nin, ardından kübik faz TiN'nin oluşumunu gözlemliyoruz.
Kanallaşma koşullarında implantasyon, iyon aralığını önemli ölçüde artırmayı ve konakçı materyalin zarar görmesini sınırlamayı mümkün kılar. Menzildeki artışla bağlantılı olarak, ekilen türler kendi kendine püskürtmeye daha az maruz kalır ve doğal oksit yüzey tabakasından geri tepme implante edilmiş O atomları ile oksidasyona karşı daha fazla korunur. Gömülü ve saf FeSi2 veya ErSi2 katmanları bu koşullarda büyütüldü.
Nadir gaz atomları, genellikle tüm malzemelerde yüksek akışlarda kabarcıklar oluşturur; bu etki, iyon tabancalarının veya reaktörlerin duvarlarının kabarmasının kökenindedir. Bu boşluklar, örneğin daha sonra yüzey üzerinde buharlaştırılan ve başka bir ısı veya ışınlama işlemiyle karıştırılan katmanlardan oluşan parçacıkların tercihli çekirdeklenme bölgeleri olarak kullanılabilir.
Aynı şekle sahip Ag veya Au parçacıklarının büyümesi için şablon olarak kullanılan MgO kristallerinde kübik gözeneklerin oluşumunun egzotik doğasından bahsedelim.
"Kaliteli" filmlerin (yapışkanlık, homojenlik ve nihayetinde epitaksi) büyümesi, başarısını biriktirmeden önce uygun bir yüzey temizleme adımına borçludur. Mevcut birkaç teknik arasında püskürtme, basitliği ve kirleticilerin doğasına duyarsızlığı nedeniyle çekicidir.
Bununla birlikte, iyonların neden olduğu hasar, daha sonra kristal alt tabakalar üzerinde büyütülen filmlerin epitaksisini etkileyebilir ve yerinde termal tavlama ile onarılması gerekir.
Teknolojik araştırmalar, püskürtme deneylerinde yaygın olarak kullanılan Ar iyonlarının, Si substratlar üzerindeki doğal oksidi ve adsorbe edilmiş molekülleri kapsamlı bir hasar vermeden uzaklaştırmak için optimal enerjisinin 150–200 eV olduğunu, Sn'nin ise 14 keV'de maksimum olduğunu göstermektedir.
Dijital Ekonomi Olarak Çevrimiçi Oyun İşi
“Çevrimiçi oyun” terimi genellikle ağ oyunundan ve İnternet oyunundan ayrılır. Amerika Birleşik Devletleri’ndeki Ultima Online ve Everquest gibi çevrimiçi oyunların özellikleri, gerçek alan ve yaşamın dijital temsili için sonsuz sayıda oyun katılımcısı ve mükemmel görsel-işitsel teknoloji olarak özetlenebilir.
Blizzard’ın Starcraft’ı gibi bir ağ oyunu, çevrimiçi bir oyunun eski özelliğinden yoksunken, MSN’nin Oyun Bölgesi gibi bir İnternet oyunu, ikincisinden yoksundur.
İnternet oyunu ile çevrim içi oyun arasındaki farklar da önemlidir: İnternet oyunları, bilardo, kart oyunları, araba yarışı gibi basit siber oyunlarla ilgiliyken, çevrim içi oyunlar, uzayın gerçekçi temsilleri aracılığıyla simüle edilmiş bir “siber dünya” yaratır. , dama vb.
Dijital ekonomide hızla ortaya çıkan çevrimiçi oyun işi, İnternet portal hizmeti, e-yayın, e-eğitim, e-iş çözümü ve e-güvenlik dahil olmak üzere büyüleyici İnternet içeriği işlerinden biri haline geldi.
Birçok çevrimiçi oyun şirketi, “çevrimiçi ücretli perakende oyun paketi” veya “çevrimiçi ücretli ücretsiz oyun paketi üzerine kâr modellerini sürdürdükleri için, sürekliliği sağlamada oldukça başarılı oldular.
Çevrimiçi oyun aslında MUD gibi metinsel yapıdan MUG ve şu anda MMPOG gibi grafik ağları daha ayrıntılı bir şekilde temsil edecek şekilde gelişti. Genellikle, MMPOG, oyun şirketinin ana bilgisayarlarına erişimleri aracılığıyla siber uzayda sanal bir topluluk oluşturan 50.000 ~ 200.000 çoklu İnternet kullanıcısı tarafından oynanır.
Genellikle 2~20 oyuncunun aynı anda oyun oynayabildiği PC tabanlı bir ağ oyunundan farklıdır, oysa çevrimiçi oyun birçok farklı yerde sonsuz sayıda oyuncu tarafından oynanır.
Bu nedenle çevrimiçi oyun oyuncularının çoğu, oyunun siber uzay unsurlarını sadece sanal olarak değil, aynı zamanda “gerçek” toplum olarak görmektedir. Çevrimiçi oyun endüstrisinin genellikle küçük olduğunu, ancak diğer oyun türlerinden daha hızlı büyüdüğünü göstermektedir. Atari ve video oyunlarının hala küresel oyun pazarına hakim olduğunu unutmayın.
Daha spesifik olarak, çevrimiçi oyun işinin en az üç önemli özelliği vardır. Birincisi, İnternet e-ticaretinin içerik endüstrisinin bir biçimi olarak, çevrim içi oyunun başarısı, büyük ölçüde kullanıcıların xDSL’ler ve kablo modemler de dahil olmak üzere geniş bant İnternet altyapısına erişimlerine bağlıdır, çünkü aynı anda 50.000 ~ 150.000 oyun oyuncusunu birbirine bağlar.
Bu nedenle, çevrimiçi oyun işi, internet ve telekomünikasyon altyapısı ile bağlantılı olarak dijital ekonomiyi değerlendirmek için en doğru, verimli ve kapsayıcı ölçümlerden biridir.
Ayrıca, çevrimiçi oyun teknolojik olarak titiz bir grafik tasarıma, 3 boyutlu görselleştirmeye ve hassas bir kullanıcı ağı yapısına bağlıdır. Yapay zeka teknikleri, görüntü işleme yazılımı ve donanımı ve süper hızlı İnternet altyapıları dahil olmak üzere çeşitli yenilikleri teşvik etti.
Dijital oyun bağımlılığı
Dijital oyun tarihi
Dijital oyun Nedir
Dijital Oyun Tasarımı
Dijital BAĞIMLILIK Makale
Dijital oyun pdf
Oyun kültürü Nedir
Masaüstü oyun nedir
İkincisi, maddi olmayan, bilgi tabanlı bir iş biçimi olarak çevrimiçi oyun işi, tümü fiziksel tesisler ve yönetim sistemleri gerektiren, maddi malların geleneksel üretim, depolama ve dağıtım süreçlerini zorunlu olarak gerektirmez.
Bu nedenle, çevrimiçi oyun işinin kâr modeli, geleneksel depolama ve dağıtım sisteminin en önemlilerinden biri olmaya devam ettiği e-alışveriş, e-ihale ve e-kitapçı gibi diğer e-ticaret biçimlerinden önemli ölçüde farklıdır.
Üçüncüsü, çevrimiçi oyun işinin analizi, bilgi çağındaki çağdaş kültürel ekonomiyi anlamada çok önemlidir. Çok oyunculu çevrimiçi oyunlar oynamak, sadece bir oyun olduğu anlamına gelmez, aynı zamanda oyun kullanıcılarının oyunun sanal topluluğundaki diğer gerçek zamanlı oyuncularla sosyalleşmesini de ima eder.
Çevrimiçi oyun kullanıcıları benzer sosyo-kültürel kodları ve bağları paylaşır ve bir aidiyet duygusu yaşarlar. Bu nedenle, bir çevrimiçi oyun şirketinin rolü genellikle yalnızca belirli bir oyun için mekanik algoritmalar, kurallar ve planlar oluşturmak değil, aynı zamanda oyun kullanıcılarına birbirleriyle sosyal ilişkilerinin keyfini çıkarabilecekleri rahat bir siber alan sağlamaktır.
Bu anlamda, çevrimiçi oyunun analizi, üretici ve tüketicilerin geleneksel ekonomik ikiliğinin sıklıkla bulanıklaştığı, tartışıldığı ve müzakere edildiği bir siber topluluğun kültürel ve ekonomik etkilerini araştırmak için öğreticidir.
Online Oyun İş Geniş Bant İnternet Altyapısı
Çevrimiçi oyun işinin büyümesi için gerekli olan ilk önemli koşul, geniş bant İnternet altyapısının gelişmesiyle ilişkilendiriliyor. İnternet altyapısı, yüz binlerce İnternet kullanıcısının bir seferde sunucuda oturum açmasına ve büyük boyutlu tarih dosyalarını değiş tokuş etmesine izin veren geniş bant ağlarına giderek daha fazla dayanmaktadır.
İnternet oyunları küçük boyutlu dosyaları yürüterek ve oyuncular arasında küçük veri alışverişi yaparak oynanırken, çevrimiçi oyunlar genellikle büyük boyutlu program dosyalarının yürütülmesine ve büyük veri dosyalarının gerçek zamanlı oyuncular arasında değiş tokuşuna bağlıdır. Ayrıca, çevrimiçi oyun işi, görüntü işleme ve sunucu yönetimi için yoğun yüksek teknoloji yenilikleri gerektirir.
Bu nedenle, çevrimiçi bir oyun oynarken, oyuncular arasında metinler, resimler, 3D grafikler, sesler ve video klipler gibi büyük miktarda veri aynı anda akar. Ayrıca, geniş bant, çok oyunculu çevrimiçi oyunların başarısı için yalnızca bir ön koşul olmakla kalmaz, aynı zamanda çevrimiçi oyun endüstrisinin kendisi, geniş bant için daha büyük bir pazar talebini teşvik eder.
ABD Federal İletişim Komisyonu (FCC), “geniş bant” terimini, kullanıcıların İnternet’e ve İnternet ile ilgili hizmetlere çevirmeli modemlerden (dar bant) çok daha yüksek hızlarda erişmesine olanak tanıyan yeni nesil yüksek hızlı iletim hizmetleri olarak tanımlar.
FCC, 200 kbps’yi aşan yukarı akış (müşteriden sağlayıcıya) ve aşağı akış (sağlayıcıdan müşteriye) iletim hızlarına sahip hizmetleri ve tesisleri tanımlamak için “gelişmiş telekomünikasyon yeteneği” terimini kullanır.
Birçok profesyonel, xDSL, FTTH/O, PAN (Güç Alanı Ağı), PLC (Güç Hattı İletişimi) ve B-WILL dahil olmak üzere çeşitli yüksek hızlı, her zaman açık İnternet bağlantılarından herhangi birini tanımlamak için “geniş bant” terimini kullanır.
Genel olarak konuşursak, yüksek hızlı geniş bant, bir son kullanıcı ile bir erişim ağı tedarikçisi arasında, saniyede megabit cinsinden gerçek zamanlı veri hızlarını destekleyebilen, yüksek kapasiteli, iki yönlü bir bağlantı anlamına gelir.