Simülasyonlar
Simülasyonlar, süzülmenin Si konsantrasyon eşiğini (bu işlem NC'lerin şarj edilmesini engeller) ve implantasyon veya post için optimum sıcaklık aralığını tahmin etmeyi mümkün kılar. NC'lerin kontrollü bir büyümesiyle birlikte substrat arayüzünde Si çözünen atomlarının yakalanmasının, uçucu olmayan belleklerin üretimi için uygun bir kendi kendine hizalanmaya yol açtığı tavlama işlemidir.
Birçok yazar tarafından IBS tekniğinin kullanışlılığını övmek için ileri sürülen bir argüman, yüzeye yakın parçacıkların yüksek doldurma faktörlerini elde etmektir. Aslında bu özellik, dipolar etkileşimlerin optik ve manyetizmadaki iyi bilinen etkisinden dolayı genellikle nanokompozit sistemlerin performansları için zararlıdır.
Gösterilen Ag parçacıklarının görünür aralığındaki plazmon rezonansı, büyüklük saçılmalarındaki ve etkileşimlerindeki artışın birleşik etkileri altında, artan Ag akışıyla daha geniş hale gelir.
Benzer şekilde, manyetik kayıt ortamındaki bitleri oluşturan taneler arasındaki etkileşim, gürültüyü azaltmak için sınırlandırılmalıdır. Aslında, çoğu çalışmada implante edilmiş 3D manyetik atomların konsantrasyonunu artırmanın tek yararı, katkılı katmanın sığ kalınlığını telafi etmektir. Yarı iletkenlerdeki eksitonların hapsedilmesi de parçacıkların toplanmasıyla bozulur.
Si NC'ler, MOS yapılarında şarj enjeksiyonu için yararlı olmalarının yanı sıra, sarı lüminesansları veya NC'lerdeki eksitonlarınkine yakın bir enerjide uyarılmış bir seviyede nadir toprak elementlerini aktive etmeleri ile de ilgi çekicidir. Bir kez daha kalite kriteri, NC'lerin 2–3 nm aralığında dar bir boyut dağılımıdır, böylece boşlukları örneğin 4I15/2'den 4I9/2 durumuna Er3+ iyonlarının uyarılma enerjisine uyar.
Ardışık olarak Si iyonları ile implante edilen Er iyonlarının hassaslaşması kapsamlı bir şekilde incelenmiştir ve sonuçlar, aynı anda elde etmenin zor olduğu bir okul vakasını oluşturmaktadır: (i) Uygun boyutta Si kümeleri, (ii) Er atomları yerine oksit içinde katı çözeltide silisit partiküllerinde [PIV 03], (iii) fakat aynı derinlikte. Bununla birlikte, bazı yararlı cihazlar fabrikasyon gibi görünüyor.
IBS Tarafından Elde Edilen Çeşitli Yapılar
IBS, sıralı implantasyon yoluyla tek bir elementten veya bir bileşikten yapılmış çok çeşitli nanokristaller ve kuantum noktaları oluşturmak için kullanılmıştır. Yağışın doğası implantasyon sırasına bağlı olabilir.
Kontrollü bir plazmon rezonans enerjisine sahip alaşımlı parçacıklar elde etmek amacıyla 2 metalin implantasyonu, örneğin tavlamadan sonra 2 element bir çözünürlük aralığı gösterdiğinde veya bunlardan biri matriste daha fazla çözünür olduğunda çekirdek-kabuk parçacıklarının oluşumuyla sonuçlanır.
Zhao ve diğerleri tarafından önerilen bir çözüm vardır. homojenliği engelleyen ve oluşan fazların doğasını değiştiren ikinci implantasyon sırasında ilk implante edilen iyon türlerinin yeniden dağılımı sorununa, iki iyon tabancası arasında hızlı geçişi içeren dinamik birlikte implantasyon dahildir.
Hemen hemen tüm yarı iletkenlerin NC'leri, NC'leri daha büyük boşluklu bir matrise gömerek eksitonları sınırlamak ve yüzeylerini çevre ile reaksiyona karşı korumak amacıyla silika, alümina ve silikonda sentezlenmiştir.
Temel bir bakış açısından, konağın iyonikliğinin oluşan fazların kristal doğasını etkilediğini not etmek ilginçtir. Örnek olarak, implantasyon koşullarını değiştirerek a-Al2O3'te altıgen wurtzite veya kübik çinkoblend yapısına sahip CdS ve CdSe kristalleri üretmek mümkündür, çünkü bu matris balistik hasara karşı çok az hassastır.
İmplantasyon orta sıcaklıkta (~600°C) gerçekleştirildiğinde, dinamik tavlama alümina kristalini tutar ve epitaksiyel ilişkiler altıgen yapı ile NC'lerin oluşumunu destekler. Aksine, implantasyon düşük bir sıcaklıkta (LN2) gerçekleştirildiğinde, alüminanın yakın yüzey bölgesi amorfize olur.
Simülasyon tekniği
Simülasyon Örnekleri
Simulasyon Nedir
Simülasyon eğitimi
Simülasyon Nasıl Yapılır
Simülasyon Programları
Simülatör Nedir
Simülasyon nedir kısaca
Tavlamanın ardından, şekilsiz katman ilk önce aynı simetriye (çinkoblend) sahip NC'leri gömen metastabil γ-Al2O3 kübik yapısı ile kristalleşir. Dinamik tavlamanın az ya da çok verimliliğiyle ilişkilendirilen başka bir yapı modifikasyonu örneği, tek Si kristallerinde β-FeSi2 sentezi sırasında gözlemlenendir.
Fe atomlarını yeterince yüksek sıcaklıkta (yaklaşık 400°C) silikon içine yerleştirirken, eksenleri Si eksenine paralel hizalanmış β-FeSi2 çökeltileri elde edilir. Fe daha düşük sıcaklıkta implante edildiğinde rastgele yönlendirilmiş parçacıklar oluşur. 800°C veya daha fazla sıcaklıkta daha fazla tavlamadan sonra, Si tek kristalinin yapısı ikinci durumda mükemmel bir şekilde geri yüklenirken, epitakside parçacıkları içeren kristalde çok sayıda dislokasyon döngüsü kalır.
Metaloid emplantasyon yoluyla seramik bileşiğinin metallere sentezlenmesi durumunda, yeni oluşan fazlar genellikle nadiren amorfize olan (bilinen metalik cam bileşimleri dışında) matris tanecikleri ile epitaksi içinde büyür. Örneğin, yakın paketleme düzlemleri arasındaki epitaksi ilişkileri ile N'nin Ti'ye implantasyonu ile ikinci dereceden bileşik Ti2N'nin, ardından kübik faz TiN'nin oluşumunu gözlemliyoruz.
Kanallaşma koşullarında implantasyon, iyon aralığını önemli ölçüde artırmayı ve konakçı materyalin zarar görmesini sınırlamayı mümkün kılar. Menzildeki artışla bağlantılı olarak, ekilen türler kendi kendine püskürtmeye daha az maruz kalır ve doğal oksit yüzey tabakasından geri tepme implante edilmiş O atomları ile oksidasyona karşı daha fazla korunur. Gömülü ve saf FeSi2 veya ErSi2 katmanları bu koşullarda büyütüldü.
Nadir gaz atomları, genellikle tüm malzemelerde yüksek akışlarda kabarcıklar oluşturur; bu etki, iyon tabancalarının veya reaktörlerin duvarlarının kabarmasının kökenindedir. Bu boşluklar, örneğin daha sonra yüzey üzerinde buharlaştırılan ve başka bir ısı veya ışınlama işlemiyle karıştırılan katmanlardan oluşan parçacıkların tercihli çekirdeklenme bölgeleri olarak kullanılabilir.
Aynı şekle sahip Ag veya Au parçacıklarının büyümesi için şablon olarak kullanılan MgO kristallerinde kübik gözeneklerin oluşumunun egzotik doğasından bahsedelim.
"Kaliteli" filmlerin (yapışkanlık, homojenlik ve nihayetinde epitaksi) büyümesi, başarısını biriktirmeden önce uygun bir yüzey temizleme adımına borçludur. Mevcut birkaç teknik arasında püskürtme, basitliği ve kirleticilerin doğasına duyarsızlığı nedeniyle çekicidir.
Bununla birlikte, iyonların neden olduğu hasar, daha sonra kristal alt tabakalar üzerinde büyütülen filmlerin epitaksisini etkileyebilir ve yerinde termal tavlama ile onarılması gerekir.
Teknolojik araştırmalar, püskürtme deneylerinde yaygın olarak kullanılan Ar iyonlarının, Si substratlar üzerindeki doğal oksidi ve adsorbe edilmiş molekülleri kapsamlı bir hasar vermeden uzaklaştırmak için optimal enerjisinin 150–200 eV olduğunu, Sn'nin ise 14 keV'de maksimum olduğunu göstermektedir.
Hafızayı Kullanma
Bu, bir yazıdan geriye dönük bir plana geçmenin en doğrudan yoludur. Bir yazı parçasına geri dönüp üzerinde çalışmaya başlamak yerine, ürettiğiniz şeyin ne olduğunu hatırlamaya çalışın. Yazının kendisine en ufak bir göz atma eğiliminden kaçının, bunun yerine kendinizi hatırlamaya zorlayın.
Yararlı bir şekilde bir beyin fırtınası ile başlayabilir, ardından her aşamada ilgili bilgiyi çok mu yoksa çok az mı yakaladığınızı göz önünde bulundurarak daha organize bir plana geçebilirsiniz. Bu tekniğin arkasındaki teori, kendinizi metnin ayrıntılarından bu şekilde uzaklaştırırsanız, söylemeye çalıştığınız şeyin nesnel bir değerlendirmesini yapma olasılığınız daha yüksektir. Bunu pratikte görürseniz kavramak daha kolaydır.
Bir an için bu kılavuzun yazarlarından birinin (kurgusal) tezinin ‘Çağlar boyunca doğum’ başlıklı bir bölümünden bir bölüm almayı seçtiğini ve bunu bir dergi makalesinin temeli haline getirmek istediğini hayal edin.
Bu başlıklardan, yazı parçalarının farklı okuyuculara yönelik olduğunu ve bu nedenle stil, kelime sayısı, malzeme seçimi ve sipariş edilme şekli açısından farklı olması gerektiğini anında görebilirsiniz.
Yazarın yapacağı ilk şey, büyük bir kağıt ve kalın bir kalem alıp hatırladıklarıyla ilgili beyin fırtınası yapmaktır. Bu arada, büyük kağıt ve kalem burada önemlidir, çünkü ona o anı hatırlamaya çalıştığını hatırlatacaktır. Çok fazla ayrıntıyla dikkatinin dağılmasına izin vermek yerine orijinalinde büyük, cesur fikirler. Aslında, şimdiye kadar ayrıntıların çoğunu unuttuğunu ve hafızasında yalnızca en belirgin noktaların kaldığını umacaktır. Bu beyin fırtınasına baktığınızda birkaç şey fark edeceksiniz.
Önemli noktaları hatırladıkça seçmiştir ve ilerledikçe bunlar onun için az çok yararlı olacaktır:
• Erken öodern örneğini aldı, ki bu, parçayı açtığı için belki de kaçınılmazdı. Hepsini birbirine bağlamak için bir bütün olarak tezi bağlamında oldukça alakalıydı, ancak burada daha az geçerli. Yine de, özün açılışını ve sonunu çok seviyor, bu yüzden yeri varsa onları yeniden kullanmak isteyebilir.
• Howe Çalışması burada, ancak orijinalin detayı yok. Alıntıda, bir eke dahil ettiği madde işaretleri ve grafiğin kullanılması, parçayı bir bütün olarak gözden geçirme yeteneğini gizleme eğiliminde olabilir ve bu nedenle, reddederek bu tuzaktan kaçınmaktan memnuniyet duyacaktır. Bu beyin fırtınasını gerçekleştirmeden önce orijinaline tekrar bakın. Çalışmasını burada ayrıntılı olarak ele almak istemeyecektir, ancak en alakalı olduğuna karar verdiği madde işaretlerini seçebilir.
• Mahkeme davalarını dahil etmeyi unutmuş, ancak bir yerde evde doğum yoluyla elde edilebilecek maliyet tasarruflarından bahsettiğini hatırlamıştır. Daha sonra, makalesinde ilgili vakalara atıfta bulunabilecektir.
• İsveç örneğini unutması şaşırtıcı değil. Sadece geçerken değinildi ve daha sonraki bir bölümde daha ayrıntılı olarak bahsedilecekti. Daha sonra dahil etmeyi düşünebilir, ancak henüz açıkça alakalı değildir.
• İtalyan vaka çalışması aklında o kadar kaldı ki, onu beyin fırtınasına iki kez etkili bir şekilde dahil etti: hem “İtalyan vaka çalışması” hem de “doğum sonrası depresyonun sosyo-ekonomik maliyeti” altındadır. Bu sadece orijinal parçanın canlı bir parçası olmakla kalmadı, şimdi onu yeni makalesinin dayanak noktası yapmayı planlıyor.
• Ayrıca, orijinal yazı parçasında açıkça yer almayan iki not da eklemiştir.
Bunlardan ilkinden neredeyse hiç bahsedilmiyor, ancak makalesiyle ilgili olabilir (ebeler arasında geniş bir okuyucuya sahip bir dergiye yöneliktir) ve ikincisi belki ima edilir, ancak makalesinde daha ayrıntılı olarak tartışılması gerekebilir. Öte yandan, daha sonraki planlama aşamalarında geliştiği için davanın argümanıyla ilgili olmadığına karar verebilir ve bu durumda bu noktadan vazgeçecektir.
Dünyanın en çok Okunan makaleleri
Bilimsel makale
Okunması gereken makaleler
Bilimsel makale PDF
Makale Örnekleri
Türkçe makaleler
Google makale
Academia makale
Ortaya çıkan makalenin orijinalinden farklı olacağını şimdiden görebiliyoruz. Argümanın eğimi değişti, odak sıkılaştı ve potansiyel kelime sayısı azaldı. Bu tekniğin bir diğer önemli yararı, yazarın altı kilit nokta ile sonuçlanması ve kendi başına bir nokta olmayacak Erken Modern örneğinin sona ermesidir. , ancak makaleye bir giriş ve/veya sonuç sağlayabilir.
Bu, makale için doğru sayıda ana alanla ilgilidir; beyin fırtınası yapmadan önce orijinale geri dönmesine izin vermiş olsaydı, daha birçok noktayla boğulacaktı ve malzemeyi kontrol etmek için mücadele edecekti.
Bu tekniğin ne kadar iyi çalışacağı üç şeye bağlıdır: orijinal parçanın yaşı, hafızanızın gücü ve sahip olduğunuz hafızanın türü. Açıkçası, orijinal yazı parçasını bir süre önce ürettiyseniz daha az noktayı hatırlamanız muhtemeldir; tersine, daha yeni bir yazı parçası için çok fazla nokta hatırladığınızı görebilirsiniz.
İyi bir hafızanız varsa, hafızanız genellikle zayıfsa çok daha fazlasını hatırlayacaksınız. Sahip olduğunuz hafıza fonksiyonunun türünden de etkileneceksiniz. Yazılı bilgileri kolayca alan kişiler için bu örnek iyi işleyecektir; işitsel hafızası olanlar için, yüksek sesle teslim ettikleri öğretim materyallerinden veya konferans bildirilerinden noktaları hatırlamaları daha olasıdır.
Yazarın bu örneği ilk beyin fırtınasının ötesinde nasıl geliştirebileceğine bakmadan önce, bu potansiyel engelleri nasıl aşabileceğinizi düşünmeliyiz. Çok fazla şey hatırlıyorsanız ve bir süre sonra bile göze çarpan noktaları seçmekte zorlanıyorsanız, bu yaklaşımı deneyebilirsiniz.
Bazılarımız için puan yazmak sorun olabilir. Anılarımız mükemmeldir ve bu nedenle, bu alıştırmada, orijinal yazı parçasını neredeyse kelimesi kelimesine kopyalayabileceğiz ve orijinal makalede belirtilen tüm noktalar orada görüneceği için beyin fırtınamız çok az işe yarayacaktır. Sizin için durum buysa, sorunu ortadan kaldırmanın bir yolu, herhangi bir şeyi konuşma yoluyla aracılık etmeden önce yazmaktan kaçınmaktır.
Orijinal metnin ana hatlarını açıklarken ve ardından bir beyin fırtınasına aktarırken bir araştırmacıdan, bir arkadaşınızdan veya akıl hocanızdan veya amirinizden (ve ideal olarak aynı anda birkaçından) sizinle birlikte oturmasını isteyin.
Onlardan size karşı katı olmalarını, onlara çok fazla ayrıntı veriyor gibi göründüğünüzde sizi yukarı çekmelerini ve size sürekli olarak hedeflediğiniz makalenin okuyucu kitlesini ve amacını hatırlatmalarını isteyin. Soru sormalarına izin verin: genellikle çok bariz soruları sorarlar.
Beyin fırtınasını oluşturduktan sonra, bu çok erken aşamada alakasız noktaları silebilmeniz için onlardan onu daraltmanıza yardım etmelerini isteyin.
Tam tersi bir sorunu olan, herhangi bir şeyi çok fazla hatırlamakta zorlanan veya bazı rastgele noktaları hatırlayan, ancak parçanın genel şeklini kaybeden türden bir araştırmacı olabilirsiniz. Sizin için durum böyle görünüyorsa, farklı bir yaklaşım benimsemeye değer.